介電常數介質(zhì)損耗測試儀價(jià)格
型 號GDAT-A
更新時(shí)間2023-08-05
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
報價(jià)
產(chǎn)品概述
介電常數介質(zhì)損耗測試儀裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
介電常數介質(zhì)損耗測試儀特點(diǎn)：
| 雙掃描技術(shù) | - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動(dòng)調諧搜索功能。 |
| 雙測試要素輸入 | - 測試頻率及調諧電容值皆可通過(guò)數字按鍵輸入。 |
| 雙數碼化調諧 | - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。 |
| 自動(dòng)化測量技術(shù) | -對測試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測量。 |
| 全參數液晶顯示 | –數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 |
| DDS 數字直接合成的信號源 | -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。 |
| 計算機自動(dòng)修正技術(shù)和測試回路*化 | —使測試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。 |
gdat高頻Q表的創(chuàng )新設計，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實(shí)驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。
介電常數介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調節范圍 18 ～ 220pF
主電容調節準確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
介電常數和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線(xiàn)性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過(guò)公式計算得到。
同樣，由測微圓筒線(xiàn)性電容器的電容量讀數變化，通過(guò)公式計算得到介電常數。
介電常數介質(zhì)損耗測試儀創(chuàng )新：
◎ 本公司創(chuàng )新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
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