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介質(zhì)損耗和介電常數試驗儀

型 號gdat-a

更新時(shí)間2023-08-05

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家

報價(jià)

產(chǎn)品描述:介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法

產(chǎn)品概述


介電常數介質(zhì)損耗試驗儀滿(mǎn)足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法
一、介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術(shù):

¤雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動(dòng)調諧搜索功能。 ¤雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過(guò)數字按鍵輸入。 ¤雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧,數碼化電容調諧。 
¤自動(dòng)化測量技術(shù) -對測試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測量。 ¤全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 ¤DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩定。 
gdat高頻Q表的創(chuàng )新設計,無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實(shí)驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具
,測量值更為精確,測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調諧電容值下檢測器件的品質(zhì),無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。 


一、介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過(guò)測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。

它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉換,數值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測量值更為精確。


 
  主要技術(shù)特性  
¤Q 值測量范圍  2 ~ 1023 ,¤ 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,¤自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  固有誤差  ≤ 5 % ± 滿(mǎn)度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  ¤工作誤差  ≤7% ± 滿(mǎn)度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  ¤電感測量范圍  4.5nH ~ 140mH  ¤電容直接測量范圍  1 ~ 200pF  ¤主電容調節范圍  18 ~ 220pF  ¤主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  ¤信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  ¤頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
¤頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數和介質(zhì)損耗系數(損耗角正切值)。

BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數顯微測量裝置,因而讀數方便,數據精確。
¤測試裝置由一個(gè)LCD數字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
¤平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
¤BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器,通過(guò)被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
¤從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。 


BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
1.極片間距可調范圍:≥15mm 2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 4.測微桿分辨率:0.001mm
 

 

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