四探針電阻率測試儀（單電）

四探針電阻率測試儀（單電）半導體材料測試儀器主要用于測量半導體的電阻、方阻和電阻率等參數，如硅片、化合物半導體等。陶瓷材料測試儀器則用于測量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數，如氧化鋁、氮化硅等。金屬材料測試儀器則用于測量金屬材料的電阻、方阻和電阻率等參數，如銅、鋁等。四探針電阻率測試儀（單電）四探針測試儀測量半導體的電阻、方阻和電阻率等參數，以確保半導體的質(zhì)量和性能符合要求。在陶瓷制造行業(yè)中，可以使用陶瓷材料測試儀器測量陶瓷材料的電阻、方阻和電阻率等參數，以?xún)?yōu)化陶瓷材料的配方和生產(chǎn)工藝。

技術(shù)參數：

1.電阻率：10-5～2×106Ω-cm
2.電   阻：10-5～2×106Ω

3.電導率：5×10-6～105ms/cm

4.分辨率： 小0.1μΩ測量誤差±（0.05%讀數±5字）

5.測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數）

6.分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續可調，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 誤差：±0.2%讀數±2字

8.顯示方式：液晶顯示電阻值、電阻率、電導率值、溫度、壓強值、單位自動(dòng)換算

9.傳感器壓力：200kg  (其他規格可以定制)

10.粉末測量裝置 模具：內徑10mm；高：25mm；

加壓方式：手動(dòng)液壓加壓/自動(dòng)加壓方式（選購）

11.電源：220±10% 50HZ/60HZ

12.主機外形尺寸：330mm*350mm*120mm

13.凈重量：約6kg

導電電阻率測試儀功能介紹：本儀器采用四端測量法適用于碳素粉末廠(chǎng)、焦化廠(chǎng)、石化廠(chǎng)、粉末冶金廠(chǎng)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗和分析粉末樣品質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、電導率值、溫度、壓強值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測試治具可以滿(mǎn)足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產(chǎn)品及測試項目要求選購.使用薄膜按鍵開(kāi)關(guān)面板，操作簡(jiǎn)單，耐用，符合人體工學(xué)操作規范. 提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面

8.1.1對十組測量數據中的每一組,用式(2)計算探針間距S, ,S2,,Sy

S = [(C, + D,)/2]-[(A, +B,)/2]

S,=[(E, + Fj)/2]-[(C, +D,)/2]

.....-(2)

S,,=[(G, +H,)/2]-[(E; +F;)/2]

式中:

S,~S,,--探針間距,單位為厘米(cm);

A~H一一探針壓痕的點(diǎn)位,見(jiàn)圖6所示,單位為厘米(cm);

腳標j一組數,取1到10。

8.1.2用式(2)得到的S,計算每一間距平均值S，如式(3):

-(0)s

………--………(3)

式中:i取 1,2,3.

8.1.3將按式(3)計算得到的S,和按式(2)計算得到的S。,利用式(4)分別計算3個(gè)間距的試樣標準

偏差a

?/÷[∑

....…...……(4)

8.1.4計算平均探針間距S,如式(5):

s=/(++)

...……………(5)

8.1.5計算探針系數C和適用于圓片測量時(shí)的探針間距修正因子F„,分別如式(6)和式(7):

C-

2x

…………----*(6)

京+¯+s¯s+S

1

F,=1+1.082[1-(/)

.......-.-*****……(7)

8.2利用7.1.3~7.1.4測量的數據計算模擬電路測量的平均電阻r和標準偏差o。

8.2.1如果采用直接測量電阻,用單個(gè)正向和反向電阻(無(wú)論是計算結果或是測量結果)均按式(8)計

算平均電阻,否則按8.2.2計算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,:

…………---…(8)

式中:

r-10個(gè)模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,中的任意一個(gè)值.

8.2.2根據測量值計算模擬電路的正向電阻r,及反向電阻r,如式(9):

--中厚度修正系數F(W/S)表格范圍增加;

一按中文格式分直排四探針?lè )?、直流兩探針?lè )ㄟM(jìn)行編排。

本標準代替GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針?lè )ā泛虶B/T 1552-1995《硅、鍺

單品電阻率測定直排四探針?lè )ā贰?/p>

本標準與GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下變化:

一一刪除了鍺單晶測定的相關(guān)內容;1范圍

本方法規定了用直排四探針?lè )y量硅單晶電阻率的方法.

本方法適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍

的硅單晶體電阻率以及測量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。

本方法可測定的硅單晶電阻率范圍為1X10-Ω?cm~3X10' Ω.cm.

2環(huán)境要求

環(huán)境溫度為23℃±1℃,相對濕度不大于65%。

3干擾因素

3.1光照可能?chē)乐赜绊懹^(guān)察電阻率,特別是近似本征材料。因此,所有測試應在暗室進(jìn)行,除非是待測

樣品對周?chē)墓獠幻舾小?/p>

3.2當儀器放置在高頻于擾源附近時(shí),測試回路中會(huì )引入虛假電流，因此儀器要有電磁屏蔽。

3.3試樣中電場(chǎng)強度不能過(guò)大,以避免少數載流子注入。如果使用的電流適當,則用該電流的兩倍或

一半時(shí),引起電阻率的變化應小于0.5%。

3.4由于電阻率受溫度影響,一般測試適用溫度為23℃±1 ℃.

3.5對于厚度對測試的影響,仲裁測量要求厚度按本方法的6.3規定測量,一般測量用戶(hù)可以根據實(shí)

際需要確定厚度的要求偏差。

3.6由于探針壓力對測量結果有影響,測量時(shí)應選擇合適的探針壓力。

3.7仲裁測量時(shí)選擇探針間距為1.59mm,非仲裁測量可選擇其他探針間距。

4方法提要直排四探針測量示意圖

5測量?jì)x器

5.1探針裝置由以下幾部分組成。

5.1.1探針用鎢,碳化鎢或高速鋼等金屬制成,針尖呈圓錐型,夾角為45°~150*初始標稱(chēng)半徑為

25 μm~50 μm。

5.1.2探針壓力,每根探針壓力為1.75 N士0.25 N或4.0N±0.5N,分別用于硅單晶棒的電阻率測

量,也可選擇其他合適的探針壓力。

5.1.3絕緣性,一探針(包括連接彈簧和外部引線(xiàn))與任何其他探針或裝置任一部分之間絕緣電阻大于

10’Ω.

5.1.4探針排列和間距,四根探針的應成等間距直線(xiàn)排列。仲裁測量時(shí),探針間距(相鄰探針之間

的距離)標稱(chēng)值應為1.59mm。其他標稱(chēng)間距如1.00mm和0.6mm用于非仲裁測量,探針間距按7.2

測定。

5.1.5探針架,能在針尖幾乎無(wú)橫向移動(dòng)的情況下使探針下降到試樣表面.