GB1409介電常數測試儀

GB1409介電常數測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位。

LKI-1電感組：

線(xiàn)圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

技術(shù)參數：

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

c．標稱(chēng)誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿(mǎn)度值的2% 固有誤差：≤6％±滿(mǎn)度值的2%

     工作誤差：≤7％±滿(mǎn)度值的2% 工作誤差：≤8％±滿(mǎn)度值的2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量：1~205

     主電容調節范圍：18～220pF

     準確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

     注：大于直接測量范圍的電容測量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格指示預置功能:      預置范圍：5～1000。

6．B-測試儀正常工作條件

a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

GB1409介電常數測試儀電介質(zhì)的用途

 電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐，并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質(zhì)

溫度

損耗指數在一個(gè)頻率下可以出現一個(gè) 大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數 大值位置。

電場(chǎng)強度

存在界面極化時(shí)，自由離子的數目隨電場(chǎng)強度增大而增加，其損耗指數 大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數與電場(chǎng)強度無(wú)關(guān).

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結構損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會(huì )引起較大的損耗。

在結構緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結構松散，生成了缺固濟體、多品型轉變等。

漏導損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì )發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱(chēng)為漏導電流，漏導電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質(zhì)損耗稱(chēng)為“漏導損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì )發(fā)生漏導損耗。

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱(chēng)介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數角Φ）的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好 。

電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場(chǎng)作用下，電位移D與電場(chǎng)強度E均變?yōu)閺蛿凳噶?，此時(shí)介電常數也變成復數，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示，從電路觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱(chēng)為有功電流密度，導致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱(chēng)為無(wú)功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ稱(chēng)為損耗角，tanδ稱(chēng)為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時(shí)的重要評價(jià)參數。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應用條件下稱(chēng)為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高。

主要特點(diǎn)：

空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。

印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì )造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。