電壓擊穿中的瞬態(tài)脈沖產(chǎn)生的機理 　　

電容C每次擊穿觸點(diǎn)時(shí)都要向電源回路反向充電，因此在電源回路上形成很大的脈沖電流，由于電源回路也有阻抗存在，脈沖電流通過(guò)電源回路時(shí)，在其兩端就要形成脈沖電壓，而共用此電源回路的其它的電路(或繼電器及裝置就要受到該脈沖電壓的影響。

這就是瞬態(tài)脈沖騷擾形成的原因。

隨著(zhù)觸點(diǎn)間隙的變化，擊穿觸點(diǎn)間隙所需要的電壓是變化的。

當觸點(diǎn)間隙越來(lái)越大時(shí)，擊穿電壓越來(lái)越高。因此電容C上的電壓也要越來(lái)越高。

當觸點(diǎn)擊穿所需要的電壓越高時(shí)，電容充電的時(shí)間就越長(cháng)，振蕩波形的頻率就越低。

在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)電感負載電路的過(guò)程中，在電感上要產(chǎn)生反電勢。

根據楞次定律：這個(gè)反電勢應為。反電勢要向寄生電容C反向充電，隨著(zhù)充電電壓的升高，當達到一定數值時(shí)，在觸點(diǎn)之間要出現擊穿現象，形成導電通路。

一旦出現導電通路時(shí)，電容C就要開(kāi)始放電，使電壓下降，當電壓降到維持觸點(diǎn)導通電壓以下時(shí)，觸點(diǎn)又將處于斷開(kāi)狀態(tài)。

上述過(guò)程就要重復發(fā)生，此過(guò)程重復到觸點(diǎn)的間距大至電容上電壓不能使觸點(diǎn)間再擊穿為止。

當電容不能通過(guò)擊穿觸點(diǎn)放電時(shí)，就通過(guò)電感回路放電，直至電感中能量消耗完為止。

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電壓擊穿試驗儀

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